Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении
Аннотация:
Обсуждаются результаты исследований процессов и их параметры при формировании монолитных интегрированных инфракрасных матриц на основе теллурида кадмия и ртути (КРТ). Проведено изучение процессов для выращивания гетероэпитаксиальных слоев (ГЭС) КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в ячейках кремниевого мультиплексора, формирования n–p-перехода и контактных соединений. Для селективного выращивания ГЭС КРТ МЛЭ определены режимы подготовки кремниевой поверхности в окнах диэлектрика размерами от 30×30 до 100×100 мкм. Выращены селективные слои CdHgTe (8 мкм)/CdTe (5–7 мкм)/ZnTe (0,02 мкм) на Si (310). С использованием ионной имплантации бора в селективные слои p-типа сформированы n–p-переходы. Измерения показали, что параметр R 0 Aсоставляет 1,25×105 Ом см2 для спектрального диапазоне 3–5 мкм. Изготовлена монолитная линейка формата 1×32 на основе ГЭС КРТ МЛЭ при выращивании в ячейках кремниевого мультиплексора.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов
- Матричные фотоприемные устройства инжекционного типа на основе легированных теллуридов свинца и олова: возможности и перспективы
- Семейство крупноформатных линейных фоточувствительных приборов с зарядовой связью с разрешением 38,5 пар лин/мм
- Фотоприемник длинноволнового инфракрасного диапазона с аналоговым режимом временной задержки и накопления
- Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления
- Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром
- Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм
- Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Технология сборки крупноформатных инфракрасных фотоприёмных модулей на индиевых микростолбах
- Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников
- Материалы для фотоприемников на межподзонных переходах в GaN/AlGaN- квантовых точках
- Способ формирования единого информационного поля в приборе наблюдения
- Использование сегментации для автоматизация дешифрирования многоспектральных изображений