Главным критерием при изучении термоэлектрических материалов является коэффициент термоэлектрической добротности (Z), который зависит от значений термоэдс, электропроводности и теплопроводности рассматриваемого материала. На данный момент существует два основных подхода к измерению теплопроводности: прямой и косвенный, главными представителями которых является стационарный метод и метод лазерной вспышки, соответственно. В каждом из указанных методов есть свои источники погрешности, которые сказываются на точности измерения. Таким образом, целью работы является получение результатов измерений теплопроводности твердого раствора Mg2Si0.4Sn0.6 различными методами и их сравнение. Чтобы определить расхождение в измерениях, описанных выше методик, на образцах, вырезанных из одного слитка твердого раствора Mg2Si0.4Sn0.6, были измерены теплопроводность стационарным методом и методом лазерной вспышки. Полученные результаты измерений лежат в пределах заявленных погрешностей, данные полученные с измерительной установки Linseis XFA 500 оказались ниже полученных при измерении стационарным методом. В результате при использовании этих данных, значение термоэлектрической добротности материала может оказаться завышенной.