<p>Задачи по созданию и совершенствованию источников мощного лазерного излучения<br /> диапазона 3 мкм по-прежнему не теряет актуальность. Это связано с наличием в данной<br /> области спектра одного из основных максимумов поглощения биологических тканей, что<br /> определяет высокую востребованность подобных источников излучения в медицине. Одними<br /> из лучших эксплуатационных характеристик среди лазеров трехмикронного диапазона<br /> обладают лазеры на кристаллах, активированных ионами эрбия Er3+. При этом лазеры<br /> данного типа обладают значительным потенциалом развития, связанным с переходом к<br /> использованию диодной накачки. Помимо увеличения эффективности генерации, срока<br /> службы излучателя применение диодной накачки позволяет реализовать быструю<br /> перестройку спектра генерации эрбиевого лазера [1]. В рамках работы теоретически<br /> исследованы процессы генерации Er:YLF-, Er:YAG- и Er:YSGG-лазеров с диодной накачкой<br /> на верхний уровень лазерного перехода 4I11/2–4I13/2.</p>