Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:
Номер:2 (18)
Скачать PDF0 Кбайт
Для исследования электрофизических свойств поверхности и приповерхностной области бесщелевых полупроводников HgSe, CdxHg1-xTe (х = 0.03–0.05) и HgTe при комнатной температуре использован метод эффекта поля в электролитах. Определена эффективная масса тяжелых дырок для этих соединений. Проведено сопоставление экспериментальных и теоретически рассчитанных вольт-фарадных характеристик.