Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:
Номер:9 (32)
Скачать PDF0 Кбайт
В работе приводятся результаты исследования характера изменения гистерезиса вольт-фарадных характеристик (ВФХ) структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при воздействии гамма-излучения. Пока- зывается, что гистерезис ВФХ, вызванный облучением, связан с процессами обмена неосновными носителями заряда между ловушечными центрами в окисле и кремниевой подложки.