Например, Бобцов

ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПОЛИТИПА 3С ДЛЯ СИЛОВЫХ ПРИБОРОВ

Аннотация:

Рассмотрена задача создания гетерополитипных приборных структур на карбиде кремния, предназначенных для силовых приборов, не подверженных деградации электрических свойств. Рассмотрено явление политипизма. Приведены характеристики различных политипов SiC. Приведены сведения о причинах и следствиях деградации p-n-структур силовых приборов на основе SiC при прохождении большой плотности прямого тока. Показано, что гетеропереходы между политипами SiС могут обладать бóльшим структурным совершенством, чем гетеропереходы между полупроводниками с различной химической природой. Сделан вывод о перспективности применения гетероструктур на основе политипа 3С-SiC в приборах современной силовой электроники. Приведен краткий обзор возможных методов выращивания монокристаллов 3С-SiC. Предложена принципиальная схема создания гетерополитипных структур 3С-SiC на базе подложек политипа 6Н-SiC.

Читать текст статьи

Ключевые слова:

Статьи в номере