Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм
Аннотация:
Проведено сравнение темновых токов и дифференциального сопротивления фотодиодов, полученных при ионном легировании бором слоев теллурида кадмия и ртути (КРТ) р-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Вольт-амперные характеристики для диодов на слоях КРТ, выращенных методом МЛЭ с составом х = 0,215 и ЖФЭ (x ≈ 0,222), характеризуются различными значениями тока насыщения (обратное смещение –0,25 B) 1–2 и 5–10 нА соответственно, несмотря на то что для вторых ширина запрещенной зоны больше. При этом максимальное дифференциальное сопротивление составляет 4×109 и 5×107Ом для диодов на основе МЛЭ- и ЖФЭ-слоев соответственно. Экспериментальные данные сравниваются с расчетными. Численное моделирование показало, что для МЛЭ-структур при малых смещениях темновой ток ограничивается диффузионным током и током типа Шокли–Рида–Холла вне n-pперехода, а в ЖФЭ-структурах существенен вклад токов через ловушки в обедненной области.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов
- Матричные фотоприемные устройства инжекционного типа на основе легированных теллуридов свинца и олова: возможности и перспективы
- Семейство крупноформатных линейных фоточувствительных приборов с зарядовой связью с разрешением 38,5 пар лин/мм
- Фотоприемник длинноволнового инфракрасного диапазона с аналоговым режимом временной задержки и накопления
- Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления
- Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром
- Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении
- Технология сборки крупноформатных инфракрасных фотоприёмных модулей на индиевых микростолбах
- Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников
- Материалы для фотоприемников на межподзонных переходах в GaN/AlGaN- квантовых точках
- Способ формирования единого информационного поля в приборе наблюдения
- Использование сегментации для автоматизация дешифрирования многоспектральных изображений